Bu eğitimin amacı, silisyum pul malzemeden başlayarak adım adım tüm mikroüretim aşamalarının gerçekleştirilmesiyle temel yarı-iletken aygıtların geliştirilmesini katılımcılara uygulamalı olarak sunmaktır. Katılımcılar, Synopsys firması tarafından geliştirilen ve başlıca çip geliştirici firmalarda kullanılan Sentaurus TCAD yazılımı aracılığıyla p-n eklemli diyot, n-tipi metal oksit yarı-iletken alan etkili transistör (N-MOSFET), p-tipi metal oksit yarı-iletken alan etkili transistör (P-MOSFET) ve bütünleyici metal oksit yarı-iletken alan etkili transistör yapılarının (CMOS) mikroüretim adımlarını ve elektriksel karakterizasyonlarını bizzat simülasyon ortamında deneyimleyerek VLSI devrelerde kritik öneme sahip latch-up gibi fenomenleri de analiz ederek yarı-iletken teknolojilerinde karşılaşılan temel problemleri gözlemleyerek öğreneceklerdir.

Bu eğitim, mikroelektronik tasarımda belirleyici olan aygıt fiziği ve entegre devre güvenilirliği konularında yetkin, kıdemli ve uzman mühendislerle bu uzmanlara liderlik edecek vizyon sahibi yöneticilerin yetiştirilmesine katkıda bulunmayı amaçlamaktadır. Ar-Ge firmalarında ve yarı-iletken endüstrisinde çalışan mühendislerin ihtiyaç duyduğu pratik bilgi ve becerilerin kazandırılması amaçlanmaktadır.

Eğitim sonunda katılımcıların:

1. P-n eklemli diyot, NMOS ve PMOS aygıtlarının mikroüretim adımlarını açıklayabilmeleri,

2. Synopsys Sentaurus TCAD ortamında yarı-iletken aygıt simülasyonlarını kurabilmeleri ve çalıştırabilmeleri,

3. Doping profilleri, ağ (mesh) yapıları ve aygıt kesitlerini görselleştirebilmeleri,

4. Karakteristik akım-gerilim ve kapasitans–gerilim eğrilerini elde edebilmeleri,

5. Elde edilen sonuçlardan eşik gerilimi, kazanç parametreleri ve parazitik direnç/kısadevre parametrelerini hesaplayabilmeleri,

6. CMOS yapılarda latch-up fenomenini tanımlayabilmeleri, tetiklenme koşullarını simüle edip önleyici yöntemleri tartışabilmeleri,

7. Farklı üretim parametreleri ve simülasyon koşullarının aygıt performansına etkilerini analiz edebilmeleri hedeflenmektedir.

Elektrik-Elektronik Mühendisleri, Makina Mühendisleri, Bilgisayar Mühendisleri, Malzeme ve Metalurji Mühendisleri, Endüstri Mühendisleri, Kimya Mühendisleri, Biyomedikal Mühendisleri vb.; lisans, yüksek lisans ve doktora mezunları.

5 Kasım 2025

16

16 Ders Saati

Türkçe (Eğitim dokümanları İngilizcedir.)

Eğitim sonunda, % 70 devam zorunluluğunu sağlayan katılımcılar “Katılım Belgesi" almaya hak kazanacaklardır.

Katılım saati katılım belgesi üzerinde belirtilecektir.

Prof. Dr. Barış Bayram

1. Giriş ve Temel Kavramlar:

• TCAD Sentaurus arayüzü ve temel kullanım

• Silisyumun termal oksitlenmesinin değişik parametreler ve şartlarda modellenmesi

• P-n eklemli diyotun mikroüretiminin gerçeğe yakın modellenmesi, simülasyonu ve analizi

2. NMOS Aygıt Simülasyonu

• MOSFET mikroüretim adımlarının gerçekleştirilmesi

• SPROCESS ve SDEVICE ile NMOS yapısı oluşturulması

• Karakteristik aygıt gerilim-akım eğrilerinin elde edilmesi

3. PMOS Aygıt Simülasyonu

• SPROCESS VE SDEVICE ile PMOS yapısı oluşturulması

• Aygıtın eşik geriliminin ayarlanması

• Aygıtın küçük sinyal karakteristik parametrelerinin çıkarılması

4. CMOS ve Latch-Up Fenomeni

• NMOS ve PMOS’un CMOS yapısında birleştirilmesi

• CMOS yapısında gözlemlenen parazitik NPN ve PNP BJT etkilerinin analizi

• Latch-up mekanizması, tetiklenme koşulları ve önleme yöntemlerinin uygulanması